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一、封装方式不同
1、D-PAK封装：采用单边插入到Slot插槽中，以金手指与插槽接触。
2、TO-252封装：塑料焊盘栅格阵列封装。
二、特点不同
1、D-PAK封装：不使用针脚，而是使用“金手指”触点，处理器使用这些触点来传递信号。
2、TO-252封装：没有使用针脚，而是使用了细小的点式接口，具有更小的体积、更少的信号传输损失和更低的生产成本。
三、作用不同
1、D-PAK封装：针脚的安排方式使得处理器只能以一种方式插入插座。
2、TO-252封装：可以有效提升处理器的信号强度、提升处理器频率，同时也可以提高处理器生产的良品率、降低生产成本。
参考资料来源：百度百科-封装
参考资料来源：百度百科-封装技术
to251和to252区别to251和to252有以下区别。输出电流和***输出电流不同，管脚排列顺序相反，封装类型不一样。
贴片封装TO-263和TO-252有什么区别贴片封装TO-263和TO-252区别为：中间脚连接不同、绝缘垫不同、安装方式不同。
一、中间脚连接不同
1、TO-263：TO-263是全塑封装，通过塑料接口与中间脚相连。
2、TO-252：TO-252由金属片与中间脚相连。
二、绝缘垫不同
1、TO-263：TO-263由于有塑料包裹封装，加到散热器上不必加绝缘垫。
2、TO-252：TO-252由于没有塑料包裹封装，加到散热器上要加绝缘垫。
三、安装方式不同
1、TO-263：TO-263的安装方式为直插式安装，需要散热器提供对应的插槽。
2、TO-252：TO-252的安装方式为贴片式安装，吧需要散热器提供专门的插槽。
sot89和to252的功耗3.2和3.3。sot89和to252都是表面组装技术的一种，会按照封装来确定功耗，sot89的封装是3.2，功耗也是3.2，to252封装是3.3，功耗也是3.3，两者相差0.1的区别，但不能互相使用。
TO252是什么封装TO252是一种塑封的贴片封装。常用于功率晶体管、稳压芯片的封装。
为什么to252功率器件要测雪崩为什么to252功率器件要测雪崩，因为在一些极端的边界条件下的实际应用中，如系统的输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中，有时会发生过压的损坏。过压损坏通常直接理解为雪崩失效损坏，因为雪崩的过程伴随着过压的现象。因此，在功率MOSFET的数据表中，定义了在非箝位感性负载开关条件下，雪崩电流和雪崩能量的额定值，有些公司还给出了大单脉冲和多脉冲条件下，参考雪崩电流和雪崩能量的额定值考查功率MOSFET抗过压雪崩的能力。
数据表中雪崩电流和雪崩能量的额定值对应着一定的测试条件，特别是不同的公司有时候使用不同的测量电感值，导致工程师无法在相同的条件下进行比较；即便是使用相同的测量电感值，系统的工作条件和数据表中给定的测试并不相同。功率MOSFET管数据表中，所使用的电感比实际应用的电感值要大很多，如对于低压功率MOSFET，额定电压低于30 V，行业内采用的测试雪崩能量的电感值为0.1 mH。过去，只有在低工作频率和大电流的电机驱动中，才会发生非箝位感性负载开关的雪崩现象，而在这种使用中，电机的电感比较大，行业内就采用大电感来评估功率MOSFET管的雪崩能力。因此，数据表中雪崩能量只具有参考的价值，本文将详细地讨论这些问题，从而更加明确地理解功率MOSFET的雪崩能量。
1 数据表中雪崩能量值
雪崩电流在功率MOSFET的数据表中标示为IAV，雪崩能量代表功率MOSFET管抗过电压冲击的能力。在测试雪崩能量过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOSFET开通的时间增加，电流也就越大，然后关断，重复这个开通和关断的过程，直到功率MOSFET损坏，对应的***电流值就是***的雪崩电流。注意到在测量雪崩能量时，功率MOSFET工作在非箝位感性负载开关UIS状态下，具体的测试电路及其工作原理可以参考文献[1-7]。
在数据表中，标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。功率MOSFET供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，因为在实际的测试中，雪崩的电流有降额，因此不会损坏功率MOSFET管。
采用的电感值不同，雪崩的电流值也不同，因此雪崩能量也不同。对于不同的工艺和平台，经常出现这样的现象：在大电感的时候，其中一个功率MOSFET管的雪崩能量比另一个大，但是，在小电感的时候，前者的雪崩能量反而小于后者。不同的电子系统中，负载的电感值并不相同，因此，对于一个功率MOSFET管，需要研究在不同的电感条件下雪崩的能力。
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